GT Advanced Technologies сключи споразумение със Soitec за разработка на HVPE технология

04.03.2013   |   Начало»Технологии

Редактор
Пепа Петрунова

Редактор
Пепа Петрунова

GT Advanced Technologies и Soitec сключиха двустранно споразумение, с което GT получи правото да разработва, произвежда и продава високопроизводителна HVPE система (Hydride Vapor Phase Epitaxy - израстване на GaN от газова фаза чрез хидридна епитаксия), използвана в LED производството, силовата електроника и др.

Очаква се подобреното качество на суровините, възможно благодарение на HVPE системата, да намали значително производствените разходи и да увеличи ефективността на устройствата в сравнение с традиционния MOCVD процес.

"Работим повече от 6 години върху GaN епитаксията и създадохме тази качествено нова HVPE технология, която ще изиграе важна роля в производството на висококачествени и ценово ефективни GaN слоеве в суровините от сапфир. Задълбочените ни познания в областа на технологиите за епитаксия и GaN суровини ще позволят на GT да представи успешно революционната HVPE система на пазара", каза Шантал Арена, вицепрезидент и главен управител на Soitec Phoenix Labs.

Очаква се HVPE системата да се появи на пазара през втората половина на 2014 г.

Ключови думи: GT Advanced Technologies   Soitec   HVPE   GaN   епитаксия   LED  

Област: Технологии